雙重加熱法生產(chǎn)SiC晶須

（一）招商方： 點(diǎn)擊登錄查看

（二）招商標(biāo)的情況：

1.科技成果簡(jiǎn)介：

（1）SiC 晶須素有“晶須之王”的美稱，主要用于制備陶瓷基、金屬基、樹脂基等復(fù)合材料，以提高材料的強(qiáng)度、硬度、抗磨等性能，在宇航、原子能、汽車、化學(xué)、冶金等工業(yè)領(lǐng)域有著廣泛的用途。微米級(jí) SiC 晶須在美國(guó)、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家早已工業(yè)化生產(chǎn)，在我國(guó)尚未形成規(guī)?；a(chǎn)，所用晶須主要依據(jù)于進(jìn)口。SiC 晶須屬于巴黎協(xié)會(huì)統(tǒng)籌物資，限制向第三世界國(guó)家出口，我國(guó)每年的進(jìn)口數(shù)量非常有限，在很大程度上限制了國(guó)內(nèi)復(fù)合材料的研究和開發(fā)，所以低成本、大規(guī)模生產(chǎn) SiC 晶須具有重要意義。

（2）創(chuàng)新點(diǎn)及性能指標(biāo)

雙重加熱技術(shù)原理是利用兩套加熱系統(tǒng)對(duì)試樣進(jìn)行內(nèi)外同時(shí)加熱，外加熱系統(tǒng)為常規(guī)加熱，試樣為受熱體；內(nèi)加熱系統(tǒng)是利用試樣本身的電阻，對(duì)試樣直接進(jìn)行通電加熱，試樣為發(fā)熱體。由于試樣本身發(fā)熱體，所以在耐火材料允許的情況下，用較少的能量，在很短的時(shí)間內(nèi)就可以把試樣加熱到所需要的溫度，具有省時(shí)、節(jié)能、高效的特點(diǎn)。雙重加熱爐能在較低的合成溫度 (1400 ～ 1600℃ ) 下，合成 SiC 微米晶須或納米晶須。目前國(guó)內(nèi)主要用常規(guī)電爐合成 SiC 晶須，合成溫度一般在 1600 ～ 1800℃ , 晶須的直徑在 1 微米左右，配料中需加入催化劑和礦化劑，得到的產(chǎn)品需要進(jìn)行酸洗和水洗，以除去催化劑。與國(guó)內(nèi)現(xiàn)有技術(shù)相比，雙重加熱技術(shù)的合成溫度大大降低、配料不需催化劑、產(chǎn)品不經(jīng)過酸洗和水洗。雙重加熱技術(shù)具有合成溫度低、能耗少，生產(chǎn)工序少、生產(chǎn)周期短，不浪費(fèi)水資源，不污染環(huán)境，產(chǎn)品純度高、成本低等優(yōu)點(diǎn)。

2.擬轉(zhuǎn)化方式：技術(shù)轉(zhuǎn)讓。

（三）招商價(jià)格：面議。

（四）交易組織方式：

項(xiàng)目征集到一個(gè)意向合作方后，轉(zhuǎn)為正式掛牌項(xiàng)目交易。

投資者如有合作意向，請(qǐng)聯(lián)系點(diǎn)擊登錄查看辦理登記手續(xù)。