中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所離軸射頻偏置磁控濺射招標預告(原標題: 離軸射頻偏置磁控濺射)

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采購一臺離軸射頻偏置磁控濺射，用于200 nm及以下尺寸樣品的金屬、氧化物、氮化物薄膜材料的單層或多層沉積生長。濺射腔本底真空優(yōu)于5E-7 Pa；磁控濺射源共6個，包含2個離軸濺射源和4個共焦濺射源；樣品尺寸兼容2~4英寸。